SVF4N65RDTR, Транзистор MOSFETs 650V 4A 2.3-10V,2A 77W 4V-250uA 4pF-25V N Channel 440pF-25V 13nC-10V -55-~+150-(Tj) TO-252-2
1173 шт., срок 6 недель
98 руб.
от 10 шт. —
65 руб.
от 30 шт. —
47 руб.
от 100 шт. —
40.15 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 98 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
650V 4A 2.3Ω@10V,2A 77W 4V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3Ω@10V, 2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 440pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 77W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF@25V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet SVF4N65RMJ
pdf, 672 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
