HY030N06C2, 65V 100A 2.8m-@10V,20A 48W 2.5V@250uA N Channel PPAK-8L(5x6) MOSFETs
53 шт., срок 7 недель
350 руб.
от 10 шт. —
230 руб.
от 30 шт. —
196 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
65V 100A 2.8mΩ@10V,20A 48W 2.5V@250uA N Channel PPAK-8L(5x6) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 65V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 48W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.18 |
Техническая документация
Datasheet HY030N06C2
pdf, 823 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
