MMBT3906, 100nA 40V 200mW 100@10mA,1V 200mA 300MHz 400mV@50mA,5mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
16400 шт., срок 7 недель
4 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
от 3000 шт. —
1.80 руб.
от 6000 шт. —
1.63 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
40V 300mW 200mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 817 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
