DP6B20KC, 20V 0.6A 0.3W 510m-@4.5V,0.5A 0.6V@250uA 4.2pF@10V P Channel 39pF@10V 1.1nC@10V -50-~+150-@(Tj) SOT-883-3 MOSFETs
100 шт., срок 7 недель
11 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 600mA 300mW 510mΩ@4.5V,0.5A 600mV@250uA P Channel SOT-883-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 600mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 510mΩ@4.5V, 0.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 600mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 39pF@10V |
| Operating Temperature | -50℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.2pF@10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.1nC@10V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1320 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
