AP18N20GH, TO-252 MOSFETs
1192 шт., срок 7 недель
180 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 30 шт. —
81 руб.
от 100 шт. —
71.76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | - |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
Drain Source Voltage (Vdss) | - |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
Power Dissipation (Pd) | - |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
Type | - |
Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 99 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары