CEF10N65, 650V 10A 60W 850m-@10V,5A 4V@250uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs
5 шт., срок 7 недель
270 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Описание
650V 10A 60W 850mΩ@10V,5A 4V@250uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 10A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 850mΩ@10V, 5A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 60W |
Type | N Channel |
Вес, г | 2.43 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 385 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.