2SA1020L-Y-T9N-B, Транзистор биполярный BJT 1мкА 50 В 900мВт 120 при 500 мА, 2 В 2 А 100 МГц PNP 500 мВ при 1 А, 50 мА +150-@(Tj) TO-92-3 Тр
820 шт., срок 6 недель
28 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
18 руб.
от 150 шт. —
15 руб.
от 500 шт. —
12.76 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 140 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
50V 900mW 120@500mA,2V 2A PNP TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@1A, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 2V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 900mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.44 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 648 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
