MD33N25, 250V 33A 198W 110m-@10V,16.5A 4V@250uA 21pF@25V N Channel 5600pF@25V 40nC@10V +150-@(Tj) TO-220 MOSFETs
8 шт., срок 7 недель
390 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 390 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
250V 33A 198W 110mΩ@10V,16.5A 4V@250uA N Channel TO-220 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 33A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@10V, 16.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.6nF@25V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 198W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 21pF@25V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 40nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 6.97 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 3171 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
