2SB772-P, 1uA 30V 500mW 160@1A,2V 3A 50MHz 500mV@2A,200mA +150-@(Tj) SOT-89-4 Bipolar Transistors - BJT ROHS
960 шт., срок 7 недель
18 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
11 руб.
от 300 шт. —
8.80 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 180 руб.
Описание
30V 1W 160@1A,2V 3A PNP TO-126F Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 3A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@2A, 2A |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 320@100mA, 2V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 50MHz |
| Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1585 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
