BC807-25_R1_00001, 100nA 45V 330mW 160@100mA,1V 500mA 100MHz 700mV@500mA,50mA PNP -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

BC807-25_R1_00001, 100nA 45V 330mW 160@100mA,1V 500mA 100MHz 700mV@500mA,50mA PNP -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1980 шт., срок 6 недель
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.6 руб.
от 600 шт.4.40 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8015883509
Артикул: BC807-25_R1_00001

Технические параметры

Brand: Panjit
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 700 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 160
DC Current Gain hFE Max: 400
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Panjit
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 330 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: GPT-03TP
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 134 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.