2N5551L-B-T92-B, 50nA 160V 625mW 600mA 100MHz 200mV@50mA,5mA NPN +150-@(Tj) TO-92 Bipolar Transistors - BJT
3320 шт., срок 6 недель
13 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
9 руб.
от 300 шт. —
6.30 руб.
от 2000 шт. —
5.40 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
160V 625mW 600mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA, 5mA |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 625mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Manufacturer | Unisonic Tech |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Package / Case | TO-92 |
| Packaging | Box-packed |
| Pd - Power Dissipation | 500mW |
| Вес, г | 0.27 |
Техническая документация
Datasheet 2N5551L-B-T92-B
pdf, 209 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
