2SC2712G-Y-AE3-R, 100nA 50V 150mW 120@2mA,6V 150mA 80MHz 100mV@100mA,10mA NPN +125-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2350 шт., срок 6 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
50V 150mW 120@2mA,6V 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 150mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@100mA, 10mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@2mA, 6V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 80MHz |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet 2SC2712G-Y-AE3-R
pdf, 213 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары