CEU3133, TO-252 MOSFETs
1914 шт., срок 6 недель
74 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 74 руб.
Описание
TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | - |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 773 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![10N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 10А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![2N7002DW-TP, Транзистор MOSFET, 2N-канала, 60В, 0.115А [SOT-363]](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313888.jpg)
![IRF4905STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 42A 170Вт [D2PAK / TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
