MMBT2222A_R1_00001, 10nA 40V 225mW 100@150mA,10V 600mA 1V@500mA,50mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2680 шт., срок 6 недель

10 руб.

Кратность заказа 20 шт.

от 200 шт. — 6 руб.

от 600 шт. — 4.40 руб.

Добавить в корзину 20 шт. на сумму 200 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8015897843

Артикул: MMBT2222A_R1_00001

Collector-Emitter Breakdown Voltage	40V
Maximum DC Collector Current	600mA
Pd - Power Dissipation	225mW
Transistor Type	NPN
Brand:	Panjit
Collector- Base Voltage VCBO:	75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	600 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	100 at 150 mA, 10 V
DC Current Gain hFE Max:	300 at 150 mA, 10 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Manufacturer:	Panjit
Maximum DC Collector Current:	600 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-23-3
Pd - Power Dissipation:	225 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	GPT-03TN
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.03