SVF2N60RDTR, 600V 2A 3.7-@10V,1A 34W 4V@250uA 2.7pF@25V N Channel 250pF@25V 8.92nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs
70 шт., срок 6 недель
130 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
82 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 650 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
600V 2A 3.7Ω@10V,1A 34W 4V@250uA N Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.7Ω@10V, 1A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 250pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 34W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.7pF@25V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 8.92nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet SVF2N60RMJ
pdf, 614 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
