HE8050G-D-AE3-R, 100nA 25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A 100MHz 500mV@800mA,80mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
200 шт., срок 6 недель
12 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
8 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 25V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet HE8050G-D-AE3-R
pdf, 215 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299928.jpg)
![2SA1797, Транзистор PNP 50В 2А HFE=82…270 0.5Вт [SOT-89]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306882.jpg)
![2N4401BU, Транзистор NPN 60В 0.6А 0.625Вт [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/225/DOC000225803.jpg)
