MMBT3906, 1uA 40V 300mW 200mA 300MHz 300mV@50mA,5mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
367150 шт., срок 6 недель
3 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
2 руб.
от 3000 шт. —
1.20 руб.
от 6000 шт. —
1.03 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
40V 350mW 200mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA, 1mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 300@10mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
| Вес, г | 0.04 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2N3904-G, Транзистор NPN 40В 0.2А 0.625Вт [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299940.jpg)
![BC807-40, Транзистор PNP 45В 0.5А HFE=250…600 0.3Вт [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
