MEM2302XG, 20V 3A 50m-@4.5V,3A 700mW 850mV@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs
2380 шт., срок 7 недель
15 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
9 руб.
от 600 шт. —
7.40 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 3A 50mΩ@4.5V,3A 700mW 850mV@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 130mΩ@4.5V, 2.8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1.4W |
| Type | P Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 700mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 50mО© @ 3A,4.5V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 850mV @ 250uA |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet MEM2302XG
pdf, 318 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
