SED3080M, 30V 80A 83W 6.5m-@10V,25A 3V@250uA N Channel DFN-8(3x3) MOSFETs
5520 шт., срок 6 недель
64 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
40 руб.
от 150 шт. —
35 руб.
от 500 шт. —
27.96 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 320 руб.
Описание
30V 80A 83W 6.5mΩ@10V,25A 3V@250uA N Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 6.5mΩ@10V, 25A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 83W |
| Type | N Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 80A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 83W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.5mО© @ 25A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Datasheet SED3080M
pdf, 364 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![IRF4905STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 42A 170Вт [D2PAK / TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
