2SD669AL-D-TN3-R, 10uA 160V 2W 160@150mA,5V 1.5A 140MHz 1V@600mA,50mA NPN +150-@(Tj) TO-252-2(DPAK) Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
3630 шт., срок 6 недель
50 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
31 руб.
от 150 шт. —
26 руб.
от 500 шт. —
21.39 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 250 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
160V 2W 160@150mA,5V 1.5A NPN TO-252-2(DPAK) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1.5A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@600mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@150mA, 5V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 2W |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 140MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
Maximum DC Collector Current | 1.5A |
Pd - Power Dissipation | 2W |
Вес, г | 0.51 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 225 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары