2SD669AL-D-TN3-R, 10uA 160V 2W 160@150mA,5V 1.5A 140MHz 1V@600mA,50mA NPN +150-@(Tj) TO-252-2(DPAK) Bipolar Transistors - BJT

3630 шт., срок 6 недель
50 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.31 руб.
от 150 шт.26 руб.
от 500 шт.21.39 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 250 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015922850
Артикул: 2SD669AL-D-TN3-R

Описание

160V 2W 160@150mA,5V 1.5A NPN TO-252-2(DPAK) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 1.5A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 10uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1V@600mA, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 160@150mA, 5V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 2W
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 140MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 160V
Maximum DC Collector Current 1.5A
Pd - Power Dissipation 2W
Вес, г 0.51

Техническая документация

Datasheet
pdf, 225 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.