2SD1857G-Q-AA3-A-R, 1uA 120V 1W 120@100mA,5V 2A 80MHz NPN 400mV@1A,100mA +150-@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
905 шт., срок 6 недель
34 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
20 руб.
от 150 шт. —
17 руб.
от 500 шт. —
13.78 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 170 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
120V 1W 120@100mA,5V 2A NPN SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 2A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@1A, 100mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 5V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 1W |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 80MHz |
Вес, г | 0.25 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары