2SD1857G-Q-AA3-A-R, 1uA 120V 1W 120@100mA,5V 2A 80MHz NPN 400mV@1A,100mA +150-@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT

905 шт., срок 6 недель
34 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.20 руб.
от 150 шт.17 руб.
от 500 шт.13.78 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 170 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015927462
Артикул: 2SD1857G-Q-AA3-A-R

Описание

120V 1W 120@100mA,5V 2A NPN SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 2A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 120V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 400mV@1A, 100mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 120@100mA, 5V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 1W
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 80MHz
Вес, г 0.25

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.