NP2N10MR-G, 100V 2A 220m-@10V,2A 1.25W 1.9V@250uA 13pF@50V N Channel 190pF@50V 5.2nC@10V -55-~+150-@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs
1400 шт., срок 6 недель
20 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
12 руб.
от 300 шт. —
9.90 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
100V 2A 220mΩ@10V,2A 1.25W 1.9V@250uA N Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 220mΩ@10V, 2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 190pF@50V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF@50V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.2nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.05 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![20N06, Транзистор N-MOSFET 60В 20А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
