8550SG-D-AE3-R, 1uA 20V 350mW 120@150mA,1V 700mA 100MHz 500mV@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
2580 шт., срок 6 недель
11 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
7 руб.
от 600 шт. —
5.50 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 350mW 120@150mA,1V 700mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 700mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@150mA, 1V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 350mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Вес, г | 0.35 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары