8550SG-D-AE3-R, 1uA 20V 350mW 120@150mA,1V 700mA 100MHz 500mV@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

2580 шт., срок 6 недель
11 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.7 руб.
от 600 шт.5.50 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015932845
Артикул: 8550SG-D-AE3-R

Описание

20V 350mW 120@150mA,1V 700mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 700mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 20V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@500mA, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 120@150mA, 1V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 350mW
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 100MHz
Вес, г 0.35

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.