MMBT4403_R1_00001, 40V 225mW 100@150mA,2V 600mA 200MHz 750mV@500mA,50mA PNP -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9200 шт., срок 6 недель

13 руб.

Кратность заказа 20 шт.

от 200 шт. — 8 руб.

от 600 шт. — 6.50 руб.

от 3000 шт. — 5.21 руб.

Добавить в корзину 20 шт. на сумму 260 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8015933860

Артикул: MMBT4403_R1_00001

Collector-Emitter Breakdown Voltage	40V
Maximum DC Collector Current	600mA
Pd - Power Dissipation	225mW
Transistor Type	PNP
Brand:	Panjit
Collector- Base Voltage VCBO:	40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	750 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	-600 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	100 at-150 mA, -2 V
DC Current Gain hFE Max:	300 at-150 mA, -2 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Gain Bandwidth Product fT:	200 MHz
Manufacturer:	Panjit
Maximum DC Collector Current:	600 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-23-3
Pd - Power Dissipation:	225 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	GPT-03TP
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	PNP
Вес, г	0.29