60N02-HXY, 20V 60A 27m-@4.5V,20A 60W 1V@250uA N Channel 2000pF@10V TO-252-2L MOSFETs
75 шт., срок 7 недель
52 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
30 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 260 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 60A 7.5mΩ@4.5V,20A 60W 1V@250uA N Channel TO-252-2L MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 60A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5mΩ@4.5V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2nF@10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 60W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.48 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
