MMBT5551G-B-AE3-R, 50nA 160V 350mW 150@10mA,5V 600mA 100MHz 200mV@50mA,5mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
12740 шт., срок 6 недель
9 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
6 руб.
от 600 шт. —
4.30 руб.
от 3000 шт. —
3.62 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
160V 350mW 150@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 150@10mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet MMBT5551G-B-AE3-R
pdf, 167 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2N4403, Транзистор, PNP, 40В, 600мА [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299916.jpg)
![2SA1213, Транзистор PNP 50В 2А HFE=70…240 0.5Вт [SOT-89]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306882.jpg)
![BC807,215, Транзистор PNP 45В 0.5А [SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
