SED14N65G, 650V 14A 300m-@10V,1A 156W 4V@250uA 4pF@100V N Channel 1.224nF@100V 35nC@10V -55-~+150-@(Tj) DFN-8(5.7x5.1) MOSFETs

4690 шт., срок 6 недель
300 руб.
от 10 шт.190 руб.
от 30 шт.164 руб.
от 100 шт.137.99 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015936302
Артикул: SED14N65G
Бренд: SINO-IC

Описание

650V 14A 300mΩ@10V,1A 156W 4V@250uA N Channel DFN-8(5.7x5.1) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 14A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 300mΩ@10V, 1A
Drain Source Voltage (Vdss) 650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 1.224nF@100V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 156W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 4pF@100V
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 35nC@10V
Type N Channel
Вес, г 0.14

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.