SED14N65G, 650V 14A 300m-@10V,1A 156W 4V@250uA 4pF@100V N Channel 1.224nF@100V 35nC@10V -55-~+150-@(Tj) DFN-8(5.7x5.1) MOSFETs
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
4690 шт., срок 6 недель
300 руб.
от 10 шт. —
190 руб.
от 30 шт. —
164 руб.
от 100 шт. —
137.99 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
650V 14A 300mΩ@10V,1A 156W 4V@250uA N Channel DFN-8(5.7x5.1) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 14A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 300mΩ@10V, 1A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.224nF@100V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 156W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF@100V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 35nC@10V |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.14 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары