2SB649AL-C-T9N-K, Транзистор биполярный BJT 10мкА 160 В 600мВт 100 @ 150 мА, 5 В 1,5 А 140 МГц 1 В @ 600 мА, 50 мА PNP +150-@(Tj) TO-92-3
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
515 шт., срок 6 недель
31 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
19 руб.
от 150 шт. —
17 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 155 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
160V 600mW 100@150mA,5V 1.5A PNP TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1.5A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@600mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 5V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 600mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 140MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
Manufacturer | Unisonic Tech |
Maximum DC Collector Current | 1.5A |
Package / Case | TO-92NL |
Packaging | Bag-packed |
Pd - Power Dissipation | 600mW |
Вес, г | 0.53 |
Техническая документация
Datasheet 2SB649AL-C-T9N-K
pdf, 293 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары