2SB649AL-C-T9N-K, Транзистор биполярный BJT 10мкА 160 В 600мВт 100 @ 150 мА, 5 В 1,5 А 140 МГц 1 В @ 600 мА, 50 мА PNP +150-@(Tj) TO-92-3

515 шт., срок 6 недель
31 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.19 руб.
от 150 шт.17 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 155 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015937349
Артикул: 2SB649AL-C-T9N-K

Описание

160V 600mW 100@150mA,5V 1.5A PNP TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 1.5A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 10uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1V@600mA, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@150mA, 5V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 600mW
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 140MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 160V
Manufacturer Unisonic Tech
Maximum DC Collector Current 1.5A
Package / Case TO-92NL
Packaging Bag-packed
Pd - Power Dissipation 600mW
Вес, г 0.53

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.