2SA1020G-Y-AB3-R, Транзистор биполярный BJT 1мкА 50 В 500мВт 120 при 500 мА, 2 В 2 А 100 МГц 500 мВ при 1 А, 50 мА PNP +150-@(Tj) SOT-89-3
4645 шт., срок 6 недель
26 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
16 руб.
от 150 шт. —
14 руб.
от 500 шт. —
11.36 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
50V 500mW 120@500mA,2V 2A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 2A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@1A, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 2V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 500mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 2A |
Pd - Power Dissipation | 500mW |
Вес, г | 21 |
Техническая документация
Datasheet 2SA1020G-Y-AB3-R
pdf, 635 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары