2SA1020G-Y-AB3-R, Транзистор биполярный BJT 1мкА 50 В 500мВт 120 при 500 мА, 2 В 2 А 100 МГц 500 мВ при 1 А, 50 мА PNP +150-@(Tj) SOT-89-3

4645 шт., срок 6 недель
26 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.16 руб.
от 150 шт.14 руб.
от 500 шт.11.36 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015938001
Артикул: 2SA1020G-Y-AB3-R

Описание

50V 500mW 120@500mA,2V 2A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 2A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@1A, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 120@500mA, 2V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 500mW
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 100MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 2A
Pd - Power Dissipation 500mW
Вес, г 21

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.