UMD22NFHATR, Транзистор: NPN / PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 7 недель
180 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 30 шт. —
93 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
80@10mA,5V 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-363 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@250uA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 80hFE |
| Power Dissipation | 150мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 6 Выводов |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN and PNP Complement |
| Резистор База-эмиттер R2 | 47кОм |
| Резистор На входе Базы R1 | 4.7кОм |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1193 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
