GT40QR21, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 шт., срок 7 недель
1 080 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 080 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO3PN |
| Collector current | 35A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate-emitter voltage | ±25V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 230W |
| Pulsed collector current | 80A |
| Turn-off time | 0.6µs |
| Turn-on time | 0.3µs |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 4.91 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 225 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
