BSL308PEH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Полевой транзистор BSL308PEH6327XTSA1 от известного производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для использования в современной электронике. Данный транзистор отличается монтажом SMD, что облегчает его интеграцию в печатные платы. Ток стока составляет 2 А, что позволяет использовать его в устройствах средней мощности. Напряжение сток-исток в 30 В гарантирует надежную работу в широком диапазоне электрических цепей. Мощность транзистора равна 0,5 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,08 Ом, обеспечивает эффективное переключение и минимальные потери мощности. Корпус PG-TSOP-6 идеально подходит для компактных схем. Используйте BSL308PEH6327XTSA1 для повышения эффективности ваших электронных проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 2 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.08 |
| Корпус | PG-TSOP-6 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 2.8 ns, 2.8 ns |
| Forward Transconductance - Min | 4.6 S, 4.6 S |
| Height | 1.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -2 A, -2 A |
| Length | 3 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TSOP-6 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSL308PE H6327 SP001101004 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | -1.2 nC, -1.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 130 mOhms, 130 mOhms |
| Rise Time | 7.7 ns, 7.7 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15.3 ns, 15.3 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.6 ns, 5.6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -30 V, -30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2 V |
| Width | 1.5 mm |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Automotive | Yes |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 2 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 80@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 500 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Pin Count | 6 |
| Process Technology | OptiMOS |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | TSOP |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 5@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 376@15V |
| Case | PG-TSOP-6 |
| Drain current | -2A |
| Drain-source voltage | -30V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 80mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.5W |
| Type of transistor | P-MOSFET x2 |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 358 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
