IS61LV256AL-10TLI, IC: SRAM memory; 32kx8bit; 3.3V; 10ns; TSOP28; parallel; -40?85°C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
400 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
Описание IC: SRAM memory; 32kx8bit; 3.3V; 10ns; TSOP28; parallel; -40?85°C Характеристики
| Категория | Микросхема |
| Тип | памяти |
| Вид | DRAM |
Технические параметры
| Access Time | 10ns |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Memory Format | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 256Kb (32K x 8) |
| Memory Type | Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 28-TSSOP (0.465"", 11.80mm Width) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 28-TSOP I |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Voltage - Supply | 3.135V ~ 3.6V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ns |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet IS61LV256AL-10TLI
pdf, 252 КБ
Datasheet IS61LV256AL-10TLI
pdf, 289 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
