RGT40TS65DGC13 Single IGBT, 40 650 V TO-247GE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 6 недель
1 690 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 690 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The ROHM RGT series is field stop trench IGBT have built in very fast and soft recovery FRD system which are available in TO-247GE package and can be used in general inverter, UPS, power conditioner and welder applications.
Технические параметры
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 1.44 mW |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247GE |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | RGT40TS65D |
| Pd - Power Dissipation: | 144 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 4694 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
