RGW60TS65CHRC11 Single IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-247N, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 6 недель
4 630 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 630 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The ROHM RGW series field stop trench IGBT suitable for automotive, on & off board computer, DC-DC converters, PFC, industrial inverter.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 178 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247N |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 64 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247N-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | RGW60TS65CHR |
| Pd - Power Dissipation: | 178 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | SiC |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 6028 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
