AOTF20B65M1, Транзистор IGBT, 650В, 20А, 18Вт, TO220F, Eвыкл 0,27мДж
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
690 руб.
от 5 шт. —
570 руб.
от 25 шт. —
443 руб.
от 250 шт. —
372.34 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 690 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
Case | TO220F |
Collector current | 20A |
Collector-emitter saturation voltage | 1.7V |
Collector-emitter voltage | 650V |
Gate charge | 46nC |
Gate-emitter voltage | ±30V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Mounting | THT |
Power dissipation | 18W |
Pulsed collector current | 60A |
Turn-off switching energy | 0.27mJ |
Turn-off time | 166ns |
Turn-on switching energy | 0.47mJ |
Turn-on time | 51ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 1.77 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 544 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов