IXYH20N120C3, IXYH20N120C3 IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 140 руб.
Кратность заказа 30 шт.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 64 200 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 278 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 50kHz |
Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем