GT40WR21, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
91 шт., срок 7 недель
3 650 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 650 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO3PN |
| Collector current | 40A |
| Collector-emitter voltage | 1.8kV |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate-emitter voltage | ±25V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 375W |
| Pulsed collector current | 80A |
| Turn-off time | 570ns |
| Turn-on time | 950ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet GT40WR21
pdf, 381 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
