MMBZ18VALT1G, Диод: TVS, 40Вт, 18В, 1,6А, двойной, общий анод, ±5%, SOT23

Фото 1/3 MMBZ18VALT1G, Диод: TVS, 40Вт, 18В, 1,6А, двойной, общий анод, ±5%, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.10 руб.
от 300 шт.7.80 руб.
от 3000 шт.6.28 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 160 руб.
Номенклатурный номер: 8017533108
Артикул: MMBZ18VALT1G

Описание

Описание Диод: TVS, 40Вт, 18В, 1,6А, двойной, общий анод, ±5%, SOT23 Характеристики
Категория Диод
Тип защитный
Монтаж SMD
Корпус SOT23

Технические параметры

Clamping Voltage 25
Clamping Voltage (Max) 25V
Configuration Dual Common Anode
Direction Type Uni-Directional
ESD Protection Voltage 16KV@HBM/0.4KV@MM
Leakage Current 0.05
Leakage Current (Max) 0.05uA
Mounting Surface Mount
Mounting Style Surface Mount
Number of Elements 2
Operating Temp Range -55C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Operating Temperature Max Deg. C 150C
Operating Temperature Min Deg. C -55C
Package / Case SOT-23
Package Type SOT-23
Packaging Tape and Reel
Peak Pulse Current 1.6 A
Peak Pulse Power Dissipation 40 W
Pin Count 3
Polarity Uni or Bi Direction
Power Dissipation 0.3(W)
Product Depth (mm) 1.3(mm)
Product Height (mm) 0.94(mm)
Product Length (mm) 2.9(mm)
Rad Hardened No
Reverse Breakdown Voltage 17.1 V
Reverse Stand-off Voltage 14.5 V
Suppressor Type Zener
Test Current (It) 1 mA
Working Voltage 14.5
Working Voltage (Max) 14.5V
Breakdown voltage 18V
Case SOT23
Features of semiconductor devices ESD protection
Kind of package reel, tape
Manufacturer ONSEMI
Max. forward impulse current 1.6A
Max. off-state voltage 14.5V
Semiconductor structure common anode, double
Tolerance ±5%
Type of diode TVS
Вес, г 0.05

Техническая документация

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных диодов