FQAF11N90C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 930 руб.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.91Ом |
| Power Dissipation | 120Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | QFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 900В |
| Непрерывный Ток Стока | 7А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 120Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.91Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PF |
Техническая документация
Datasheet FQAF11N90C
pdf, 940 КБ
fqaf11n90c-d
pdf, 941 КБ
