DMN3023L-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 5,8А, 0,6Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

50 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 30 руб.

от 150 шт. — 25 руб.

от 500 шт. — 20.19 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 250 руб.

Номенклатурный номер: 8017543671

Артикул: DMN3023L-7

Бренд: DIODES INC.

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 5,8А, 0,6Вт, SOT23

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	6.2A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	900mW
Rds On - Drain-Source Resistance	25mО© @ 4A,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30V
Vgs - Gate-Source Voltage	1.8V @ 250uA
Case	SOT23
Drain current	5.8A
Drain-source voltage	30V
Features of semiconductor devices	ESD protected gate
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	DIODES INCORPORATED
Mounting	SMD
On-state resistance	28mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	0.6W
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	0.121