ZXMS6006SGTA, Транзистор N-MOSFET, IntelliFET™, полевой, 60В, 2,8А, 1Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
от 10 шт. —
190 руб.
от 30 шт. —
158 руб.
от 100 шт. —
134.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 15 us |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.8 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-223-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 75 mOhms |
| Rise Time: | 18 us |
| Series: | ZXMS600 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | IntelliFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 us |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.6 us |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +5 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 125 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Series | IntelliFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 3.55mm |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем
