SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23

SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
54 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.31 руб.
от 150 шт.28 руб.
от 500 шт.22.43 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 270 руб.
Номенклатурный номер: 8017548350
Артикул: SI2305B-TP

Технические параметры

Case SOT23
Drain current -4.2A
Drain-source voltage -20V
Gate charge 15nC
Gate-source voltage ±8V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Mounting SMD
On-state resistance 80mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 1.4W
Technology Trench
Type of transistor P-MOSFET
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 555 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов