SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
31 руб.
от 150 шт. —
28 руб.
от 500 шт. —
22.43 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 270 руб.
Технические параметры
Case | SOT23 |
Drain current | -4.2A |
Drain-source voltage | -20V |
Gate charge | 15nC |
Gate-source voltage | ±8V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 80mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 1.4W |
Technology | Trench |
Type of transistor | P-MOSFET |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 555 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов