IGB15N60TATMA1, IGB15N60TATMA1 IGBT, 26 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
740 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 125 шт. —
520 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 3 700 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
Описание Транзистор БТИЗ IGB15N60TATMA1 от производителя INFINEON – это высококачественный полупроводниковый компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. С устойчивым током коллектора в 15 А и напряжением коллектор-эмиттер в 600 В, этот IGBT транзистор является идеальным решением для управления мощной нагрузкой. Его мощность составляет 130 Вт, что обеспечивает надежность в широком спектре применений. Корпус PG-TO263-3 гарантирует простоту установки и долговечность использования. Используя IGB15N60TATMA1, вы получите эффективное и стабильное управление электронной схемой. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | SMD |
Ток коллектора, А | 15 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
Мощность, Вт | 130 |
Корпус | PG-TO263-3 |
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 26 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 130 W |
Package Type | PG-TO263-3 |
Pin Count | 3 |
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 26 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | TO-263-3 |
Part # Aliases: | IGB15N60T SP000054921 |
Pd - Power Dissipation: | 130 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | Trenchstop IGBT3 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | TRENCHSTOP |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов