RGS80TSX2GC11 Single IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 шт., срок 6 недель
3 770 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 770 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The ROHM field stop trench IGBT mainly used in PFC, UPS, IH and power conditioner. The power dissipation is 555 watts.
Технические параметры
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 555 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247N |
| Pin Count | 3 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Power Dissipation | 555Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGS80TSX2GC11
pdf, 919 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
