PJT7600_R1_00001, SOT-363 MOSFETs
1820 шт., срок 6 недель
37 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
23 руб.
от 150 шт. —
19 руб.
от 500 шт. —
16.01 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 185 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
20V 350mW 1V@250uA 1PCSNChannel+1PCSPChannel SOT-363 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 1A;700mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 150mΩ@1A, 4.5V;325mΩ@700mA, 4.5V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 92pF@10V;151pF@10V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 350mW |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.6nC@4.5V;2.2nC@4.5V |
Type | 1PCSNChannel+1PCSPChannel |
Вес, г | 0.02 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.