2SK209-GR(TE85L,F), SOT-23-3L JFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
78840 шт., срок 7 недель
52 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 260 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel junction type.
Технические параметры
Case | SC59 |
Drain current | 6.5mA |
Gate current | 10mA |
Gate-source voltage | -50V |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | TOSHIBA |
Mounting | SMD |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 0.15W |
Type of transistor | N-JFET |
Channel Type | N |
Idss Drain-Source Cut-off Current | 14mA |
Maximum Gate Source Voltage | -50 V |
Package Type | S-MINI |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 0.07 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 277 КБ
Datasheet 2SK209-GR(TE85L,F)
pdf, 282 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.