ZXTC2045E6TA, 20nA 30V 1.1W 300@100mA,2V 1.5A 375mV@750mA,15mA 1PCSNPN&1PCSPNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-26 BIpolar TransIstors - BJT

ZXTC2045E6TA, 20nA 30V 1.1W 300@100mA,2V 1.5A 375mV@750mA,15mA 1PCSNPN&1PCSPNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-26 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
150 руб.
от 10 шт.90 руб.
от 30 шт.76 руб.
от 100 шт.63.13 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.
Номенклатурный номер: 8017594703
Артикул: ZXTC2045E6TA
Бренд: DIODES INC.

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage 40 V
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Maximum DC Collector Current 1.5 A
Maximum Emitter Base Voltage 7 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.7 W
Minimum DC Current Gain 180
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-23
Pin Count 6
Transistor Configuration Isolated
Transistor Type NPN+PNP
Вес, г 0.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 105 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов