SSM3K15AFU,LF, 30V 100mA 3.6Ohm@4V,10mA 150mW 1.5V@100uA N Channel SC-70-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5105 шт., срок 7 недель
34 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 170 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
U-MOSIII MOSFETs Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 100mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 150mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3.6О© @ 10mA,4V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V @ 100uA |
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-323-3 |
Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 Ohms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K15AFU,LF
pdf, 229 КБ
Datasheet SSM3K15AFU.LF
pdf, 225 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.