SSM3K15AFU,LF, 30V 100mA 3.6Ohm@4V,10mA 150mW 1.5V@100uA N Channel SC-70-3 MOSFETs

SSM3K15AFU,LF, 30V 100mA 3.6Ohm@4V,10mA 150mW 1.5V@100uA N Channel SC-70-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5105 шт., срок 7 недель
34 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 170 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017601656
Артикул: SSM3K15AFU,LF
Бренд: Toshiba

Описание

U-MOSIII MOSFETs Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 100mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 150mW
Rds On - Drain-Source Resistance 3.6О© @ 10mA,4V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 1.5V @ 100uA
Brand: Toshiba
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 3000
Id - Continuous Drain Current: 100 mA
Manufacturer: Toshiba
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: SOT-323-3
Pd - Power Dissipation: 150 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance: 3.6 Ohms
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 35 ns
Typical Turn-On Delay Time: 5.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 800 mV
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet SSM3K15AFU,LF
pdf, 229 КБ
Datasheet SSM3K15AFU.LF
pdf, 225 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.