1SS226(TE85L,F), 80V +125°C@(Tj) 150mW Dual 900mV@100mA 1.6ns 500nA@80V 100mA S-MInI SwItchIng DIode

1SS226(TE85L,F), 80V +125°C@(Tj) 150mW Dual 900mV@100mA 1.6ns 500nA@80V 100mA S-MInI SwItchIng DIode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
36130 шт., срок 7 недель
13 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017603550
Артикул: 1SS226(TE85L,F)
Бренд: Toshiba

Технические параметры

If - Forward Current 100mA
Peak Reverse Voltage 80V
Trr - Reverse Recovery Time 4ns
Vf - Forward Voltage 1.2V @ 100mA
Diode Configuration Series
Diode Technology Silicon Junction
Maximum Forward Voltage Drop 1.2V
Maximum Operating Temperature +125 °C
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-346(SC-59)
Pin Count 3
Width 1.5mm
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 219 КБ
Datasheet 1SS226(TE85L,F)
pdf, 203 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.